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【2h】

Lateral Migration of Trapped Holes in a Nitride Storage Flash Memory Cell and Its Qualification Methodology

机译：氮化物存储闪存单元中陷阱的横向迁移及其鉴定方法

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作者
W. P. Lu; Wenchi Ting; Joseph Ku; Chih-yuan Lu;
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年度 2016
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1. Electric Field Induced Nitride Trapped Charge Lateral Migration in a SONOS Flash Memory [J] . Yu-Heng Liu, Cheng-Min Jiang, Wei-Chun Chen, Electron Device Letters, IEEE . 2017,第1期

机译：电场诱导的SONOS闪存中的氮化物陷阱电荷横向迁移
2. Characterization of nitride hole lateral transport in a charge trap flash memory by using a random telegraph signal method [J] . Yu-Heng Liu, Cheng-Min Jiang, Hsiao-Yi Lin, Applied Physics Letters . 2017,第3期

机译：利用随机电报信号方法表征电荷陷阱闪存中氮化物空穴的横向迁移
3. A Novel Operation Method to Avoid Overerasure in a Scaled Trapping-Nitride Localized Charge Storage Flash Memory Cell and Its Application for Multilevel Programming [J] . Wen-Jer Tsai, Nian-Kai Zous, Tahui Wang, IEEE Transactions on Electron Devices . 2006,第4期

机译：一种避免在比例缩放的氮化物局部电荷存储闪存单元中过度擦除的新操作方法及其在多级编程中的应用
4. Programming Transients of Trapping Nitride Storage Flash Memory Cells and Evidence of Lateral Charge Redistributions during or after Programming [C] . Tempel, G., Emden, . 2006

机译：在编程期间或之后，捕获氮化物存储闪存单元的编程瞬变和横向电荷重新分布的证据
5. Design methodology for electron-trap memory cells. [D] . Bingxi, Li. 2008

机译：电子陷阱存储单元的设计方法。
6. Investigation of Intra-Nitride Charge Migration Suppression in SONOS Flash Memory [O] . Seung-Dong Yang, Jun-Kyo Jung, Jae-Gab Lim, 2019

机译：SONOS闪存中氮化物内电荷迁移抑制的研究
7. Nitrided GdTiO as charge-trapping layer for flash memory applications [O] . Lai PT, Tao Q 2012

机译：氮化GdTiO作为闪存应用的电荷俘获层

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